首页> 外文OA文献 >Strong Band Hybridization between Silicene and Ag(111)Substrate
【2h】

Strong Band Hybridization between Silicene and Ag(111)Substrate

机译:硅氧烷与ag(111)衬底之间的强带杂交

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

By using first-principles calculations, we systematically investigatedseveral observed phases of silicene on Ag(111) substrates and their electronicstructures. We find that the original Dirac cone of silicene is about 1.5-1.7eV deeply below the Fermi level and severely destroyed by the bandhybridization between silicene and Ag in all the examined phases. Thus,silicene synthesized on Ag(111) substrates could not preserve its excellentelectronic property and new method is needed to develop in synthesizingsilicene with its Dirac cone surviving.
机译:通过使用第一性原理计算,我们系统地研究了在Ag(111)衬底上观察到的几个硅相及其电子结构。我们发现,硅的最初狄拉克锥在费米能级以下约1.5-1.7eV,并且在所有检查的相中都被硅和Ag之间的能带杂化严重破坏。因此,在Ag(111)衬底上合成的硅无法保持其优良的电子性能,需要开发一种新的方法来合成具有Dirac锥度的硅。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号